制造商型号： | ZVN4424GQTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT223 T |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZVN4424GQTA
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ZVN4424GQTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 240 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 5.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 0.4 S
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥4.392814 总价：￥4392.81 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 4.392814 | 4392.81 |
品牌其他型号
ZVN4424GQTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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