制造商型号： | RW1A020ZPT2R |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RW1A020ZPT2R
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RW1A020ZPT2R 中文资料
数据手册PDF
RW1A020ZPT2R 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1A020ZP
单位重量 6 mg
库存： 6720
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.840104 | 6.84 |
| 10 | 5.820308 | 58.20 |
| 100 | 4.049342 | 404.93 |
| 500 | 3.16187 | 1580.93 |
| 1000 | 2.570014 | 2570.01 |
| 2000 | 2.297405 | 4594.81 |
品牌其他型号
RW1A020ZPT2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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