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RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V

MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6


得捷:
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin WEMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2A 6-Pin WEMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6


RW1A020ZPT2R中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 700 mW

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 770pF @6VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 35 ns

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RW1A020ZPT2R引脚图与封装图
RW1A020ZPT2R引脚图

RW1A020ZPT2R引脚图

RW1A020ZPT2R封装图

RW1A020ZPT2R封装图

RW1A020ZPT2R封装焊盘图

RW1A020ZPT2R封装焊盘图

在线购买RW1A020ZPT2R
型号 制造商 描述 购买
RW1A020ZPT2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V 搜索库存
替代型号RW1A020ZPT2R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RW1A020ZPT2R

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-563 P-Channel 12V 2A

当前型号

晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V

当前型号

型号: RZF020P01TL

品牌: 罗姆半导体

封装: 3-SMD P-Channel 12V 2A

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P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

RW1A020ZPT2R和RZF020P01TL的区别