针脚数 6
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 700 mW
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 770pF @6VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 35 ns
耗散功率Max 700mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
封装 SOT-563
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RW1A020ZPT2R引脚图
RW1A020ZPT2R封装图
RW1A020ZPT2R封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RW1A020ZPT2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RW1A020ZPT2R 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-563 P-Channel 12V 2A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V | 当前型号 | |
型号: RZF020P01TL 品牌: 罗姆半导体 封装: 3-SMD P-Channel 12V 2A | 功能相似 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | RW1A020ZPT2R和RZF020P01TL的区别 |