制造商型号: | TK040Z65Z,S1F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) TK040Z65Z,S1F
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TK040Z65Z,S1F 中文资料
数据手册PDF
TK040Z65Z,S1F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 75 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 100
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 145.80108 | 145.80 |
10 | 134.025788 | 1340.26 |
25 | 128.46805 | 3211.70 |
100 | 111.105365 | 11110.54 |
250 | 107.633322 | 26908.33 |
500 | 100.689236 | 50344.62 |
1000 | 92.356334 | 92356.33 |
2500 | 86.801066 | 217002.67 |
5000 | 83.329024 | 416645.12 |
品牌其他型号
TK040Z65Z,S1F品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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