制造商型号： | DMG1029SV-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 60V SOT563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMG1029SV-7
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DMG1029SV-7 中文资料
数据手册PDF
DMG1029SV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 500 mA, 360 mA
漏源电阻 1.7 Ohms, 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 300 pC, 280 pC
耗散功率 450 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.9 ns, 11.6 ns
正向跨导（Min） 80 mS, 50 mS
上升时间 3.4 ns, 7.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns, 10.6 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 5.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.34794 总价：￥5.35 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.34794 | 5.35 |
| 10 | 4.290506 | 42.91 |
| 100 | 2.921921 | 292.19 |
| 500 | 2.191684 | 1095.84 |
| 1000 | 1.643642 | 1643.64 |
品牌其他型号
DMG1029SV-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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