制造商型号： | IXFK360N10T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFK360N10T
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IXFK360N10T 中文资料
数据手册PDF
IXFK360N10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 360 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 525 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 160 ns
正向跨导（Min） 180 S
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 47 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
库存： 49
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 170.018842 | 170.02 |
| 10 | 156.229522 | 1562.30 |
| 100 | 131.942528 | 13194.25 |
| 500 | 117.372064 | 58686.03 |
| 1000 | 110.381273 | 110381.27 |
品牌其他型号
IXFK360N10T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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