IXFK360N10T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK360N10T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1250W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 360A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 33000pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
下降时间 160 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK360N10T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFK360N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK360N10T | IXYS Semiconductor | TO-264 N-CH 100V 360A | 搜索库存 |
替代型号IXFK360N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK360N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 100V 360A | 当前型号 | TO-264 N-CH 100V 360A | 当前型号 |
| 型号： IXFX360N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 100V 360A | 完全替代 | N沟道 100V 360A | IXFK360N10T和IXFX360N10T的区别 |