制造商型号： | SCT2H12NYTB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) SCT2H12NYTB
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SCT2H12NYTB 中文资料
数据手册PDF
SCT2H12NYTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.15 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 22 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 74 ns
正向跨导（Min） 400 mS
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT2H12NY
单位重量 6.500 g
库存： 1572
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 79.623992 | 79.62 |
| 10 | 66.864217 | 668.64 |
| 100 | 54.096965 | 5409.70 |
品牌其他型号
SCT2H12NYTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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