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SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V

表面贴装型 N 通道 1700 V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268


得捷:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268


欧时:
MOSFET N-Ch 1700V 4A SiC TO-268-2L


贸泽:
MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide


e络盟:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin2+Tab TO-268L T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1700V 4A 3-Pin TO-268 Emboss T/R


SCT2H12NYTB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

漏源极电阻 1.15 Ω

极性 N-CH

耗散功率 44 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 1700 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 184pF @800VVds

下降时间 74 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SCT2H12NYTB引脚图与封装图
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SCT2H12NYTB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V 搜索库存