SCT2H12NYTB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 2
漏源极电阻 1.15 Ω
极性 N-CH
耗散功率 44 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 1700 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 184pF @800VVds
下降时间 74 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 44W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
封装 TO-268-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SCT2H12NYTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V | 搜索库存 |