制造商型号： | IXTH20N65X2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS T |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH20N65X2
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IXTH20N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 185 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
库存： 239
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 76.758026 | 76.76 |
| 30 | 61.236085 | 1837.08 |
| 120 | 54.790778 | 6574.89 |
| 510 | 48.344599 | 24655.75 |
| 1020 | 43.510088 | 44380.29 |
| 2010 | 40.770725 | 81949.16 |
品牌其他型号
IXTH20N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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