制造商型号: | RS1E130GNTB |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) RS1E130GNTB
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RS1E130GNTB 中文资料
数据手册PDF
RS1E130GNTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 11.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.4 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E130GN
单位重量 771.020 mg
库存: 228
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.280765 | 7.28 |
10 | 6.229099 | 62.29 |
100 | 4.655068 | 465.51 |
500 | 3.657487 | 1828.74 |
1000 | 2.826094 | 2826.09 |
品牌其他型号
RS1E130GNTB品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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