制造商型号： | MRF6V10010NR4 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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NXP(恩智浦) MRF6V10010NR4
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MRF6V10010NR4 中文资料
数据手册PDF
MRF6V10010NR4 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 100 V
工作频率 960 MHz to 1400 MHz
通道模式 Enhancement
配置 Single Dual Source
湿度敏感性 Yes
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.7 V
规格参数
增益 25 dB
外形参数
高度 1.83 mm
长度 6.73 mm
宽度 5.97 mm
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935321297531
单位重量 280 mg
库存： 281
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1192.366169 | 1192.37 |
| 10 | 1130.772836 | 11307.73 |
| 25 | 1100.002338 | 27500.06 |
品牌其他型号
MRF6V10010NR4品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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