制造商型号: | DMN3190LDW-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN3190LDW-7
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DMN3190LDW-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3190LDW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.6 ns
正向跨导(Min) 0.7 mS
上升时间 8.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30.3 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥6.17801 总价:¥6.18 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.17801 | 6.18 |
10 | 4.571728 | 45.72 |
100 | 2.586115 | 258.61 |
500 | 1.712545 | 856.27 |
1000 | 1.312951 | 1312.95 |
品牌其他型号
DMN3190LDW-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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