制造商型号： | EPC2100 |
制造商： | EPS |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2100
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EPC2100 中文资料
数据手册PDF
EPC2100 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2100
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Ta), 40A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
