制造商型号: | BSS8402DW-7-F |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) BSS8402DW-7-F
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BSS8402DW-7-F 中文资料
数据手册PDF
BSS8402DW-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V, 50 V
漏极电流 115 mA, 130 mA
漏源电阻 7.5 Ohms, 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 0.08 S, 0.05 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
库存: 2456
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.230359 | 6.23 |
10 | 4.872142 | 48.72 |
100 | 2.925776 | 292.58 |
500 | 2.70896 | 1354.48 |
1000 | 1.842068 | 1842.07 |
品牌其他型号
BSS8402DW-7-F品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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