制造商型号： | BSS84DW-7-F |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) BSS84DW-7-F
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BSS84DW-7-F 中文资料
数据手册PDF
BSS84DW-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 0.05 S
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
库存： 89870
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.485859 | 4.49 |
| 10 | 3.526385 | 35.26 |
| 100 | 2.113338 | 211.33 |
| 500 | 1.957082 | 978.54 |
| 1000 | 1.330806 | 1330.81 |
