制造商型号： | SI4103DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CHAN 30V SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4103DY-T1-GE3
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SI4103DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4103DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 5.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns, 28 ns
正向跨导（Min） 60 S
上升时间 17 ns, 38 ns
晶体管类型 1 P Channel
典型关闭延迟时间 55 ns, 78 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 57 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
SI4103DY-T1-GE3 同类别型号
库存： 4250
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.147294 | 9.15 |
| 10 | 7.948258 | 79.48 |
| 100 | 5.500738 | 550.07 |
| 500 | 4.59565 | 2297.82 |
| 1000 | 3.91121 | 3911.21 |
品牌其他型号
SI4103DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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