制造商型号: | TK090N65Z,S1F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) TK090N65Z,S1F
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TK090N65Z,S1F 中文资料
数据手册PDF
TK090N65Z,S1F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 85 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 110
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 63.880643 | 63.88 |
10 | 57.344306 | 573.44 |
25 | 54.213289 | 1355.33 |
100 | 43.369643 | 4336.96 |
250 | 40.960218 | 10240.05 |
500 | 38.550794 | 19275.40 |
1000 | 33.009118 | 33009.12 |
2500 | 32.527232 | 81318.08 |
5000 | 29.635922 | 148179.61 |
品牌其他型号
TK090N65Z,S1F品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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