制造商型号： | IPD50R800CEBTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N CH 500V 5A TO252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD50R800CEBTMA1
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IPD50R800CEBTMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD50R800CEBTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 720 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12.4 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.9 ns
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50R800CE SP000992076
单位重量 330 mg
品牌其他型号
IPD50R800CEBTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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