IPD50R800CEBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 550V 5A

N-Channel 500V 5A Tc 40W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N CH 500V 5A TO252

贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin DPAK T/R

IPD50R800CEBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 5.5 ns

下降时间 15.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD50R800CEBTMA1引脚图与封装图

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