制造商型号： | SIHB21N65EF-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SIHB21N65EF-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SIHB21N65EF-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIHB21N65EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHB21N65EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 106 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 143
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 90.108962 | 90.11 |
| 50 | 47.548159 | 2377.41 |
| 100 | 43.431296 | 4343.13 |
| 500 | 36.224416 | 18112.21 |
| 1000 | 34.919136 | 34919.14 |
品牌其他型号
SIHB21N65EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB21N65EF-GE3、查询SIHB21N65EF-GE3代理商； SIHB21N65EF-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHB21N65EF-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SIHB21N65EF-GE3替代型号
、
SIHB21N65EF-GE3数据手册PDF。