SIHB21N65EF-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

N-Channel 650V 21A Tc 208W Tc Surface Mount D²PAK TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

SIHB21N65EF-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 208W Tc

输入电容Ciss 2322pF @100VVds

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

SIHB21N65EF-GE3引脚图与封装图

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