制造商型号: | FCD600N60Z |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FCD600N60Z
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FCD600N60Z 中文资料
数据手册PDF
FCD600N60Z 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 6.7 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 18617
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 24.325069 | 24.33 |
10 | 21.879959 | 218.80 |
100 | 17.588412 | 1758.84 |
500 | 14.451108 | 7225.55 |
1000 | 11.973733 | 11973.73 |
品牌其他型号
FCD600N60Z品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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