制造商型号： | FDN359BN |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDN359BN
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FDN359BN 中文资料
数据手册PDF
FDN359BN 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 750
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.843388 | 5.84 |
| 10 | 4.960918 | 49.61 |
| 100 | 3.705186 | 370.52 |
| 500 | 2.911676 | 1455.84 |
| 1000 | 2.249942 | 2249.94 |
品牌其他型号
FDN359BN品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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