FDN359BN
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDN359BN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.70 A
通道数 1
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.8 V
输入电容 650 pF
栅电荷 7.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 2.70 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 650pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDN359BN引脚图与封装图 
FDN359BN引脚图
FDN359BN封装焊盘图
在线购买FDN359BN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDN359BN | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDN359BN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDN359BN 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 2.7mA 650pF | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： MMBF170 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 40pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V | FDN359BN和MMBF170的区别 |
| 型号： FDN359BN_F095 品牌： 飞兆/仙童 封装： SuperSOT N-Channel | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN_F095 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V | FDN359BN和FDN359BN_F095的区别 |
| 型号： 2N7002,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | FDN359BN和2N7002,215的区别 |