制造商型号： | SUP50010E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 60-V TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SUP50010E-GE3
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SUP50010E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SUP50010E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 212 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 120 S
上升时间 112 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 184
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 39.92112 | 39.92 |
| 10 | 33.51891 | 335.19 |
| 100 | 27.111756 | 2711.18 |
| 500 | 24.099257 | 12049.63 |
| 1000 | 20.635018 | 20635.02 |
| 2000 | 19.430092 | 38860.18 |
| 5000 | 18.641186 | 93205.93 |
品牌其他型号
SUP50010E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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