制造商型号: | SCTH100N65G2-7AG |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ST(意法半导体) SCTH100N65G2-7AG
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SCTH100N65G2-7AG 中文资料
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SCTH100N65G2-7AG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCTH100N65G2-7AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
包装
-
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
26mOhm @ 50A, 18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
162nC @ 18V
Vgs(最大值)
+22V, -10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3315pF @ 520V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
360W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
品牌其他型号
SCTH100N65G2-7AG品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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