制造商型号: | SQJ433EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ433EP-T1_GE3
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SQJ433EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ433EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 108 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 49 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ433EP-T1_GE3 同类别型号
库存: 2
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.229888 | 18.23 |
10 | 16.324036 | 163.24 |
100 | 12.731327 | 1273.13 |
500 | 10.516752 | 5258.38 |
1000 | 8.302649 | 8302.65 |
品牌其他型号
SQJ433EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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