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IXYS(艾赛斯.力特) IXFK170N20P

IXYS(艾赛斯.力特) IXFK170N20P
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXFK170N20P

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 200V 170A TO-264

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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IXFK170N20P 中文资料

数据手册PDF

IXFK170N20P 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 170 A

漏源电阻 14 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 5 V

栅极电荷 185 nC

耗散功率 1.25 kW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

正向跨导(Min) 45 S

上升时间 25 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 50 ns

典型接通延迟时间 40 ns

外形参数

高度 26.59 mm

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 Polar Power MOSFET HiPerFET

单位重量 10 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

25 个

整装:

¥10
单价:¥122.520308 总价:¥3063.01

价格(含增值税)

数量 单价 总价
25 122.520308 3063.01
品牌其他型号
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