IXFK170N20P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK170N20P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 14 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.25 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 170A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 11400pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK170N20P引脚图与封装图
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在线购买IXFK170N20P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK170N20P | IXYS Semiconductor | TO-264 N-CH 200V 170A | 搜索库存 |
替代型号IXFK170N20P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK170N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 200V 170A | 当前型号 | TO-264 N-CH 200V 170A | 当前型号 |
| 型号： IXFX170N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 170A | 功能相似 | PLUS N-CH 200V 170A | IXFK170N20P和IXFX170N20P的区别 |