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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA3N100D2HV

IXYS(艾赛斯.力特) IXTA3N100D2HV
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTA3N100D2HV

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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IXTA3N100D2HV 中文资料

IXTA3N100D2HV 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1 kV

漏极电流 3 A

漏源电阻 6 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4.5 V

栅极电荷 37.5 nC

耗散功率 125 W

通道模式 Depletion

配置 Single

下降时间 40 ns

上升时间 67 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 34 ns

典型接通延迟时间 27 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2.500 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥38.612639 总价:¥38.61

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 38.612639 38.61
10 34.644117 346.44
100 28.38744 2838.74
500 24.165505 12082.75
1000 20.380537 20380.54
品牌其他型号
IXTA3N100D2HV品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTA3N100D2HV、查询IXTA3N100D2HV代理商; IXTA3N100D2HV价格批发咨询客服;这里拥有 IXTA3N100D2HV中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTA3N100D2HV替代型号IXTA3N100D2HV数据手册PDF