制造商型号: | IXTA3N100D2HV |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA3N100D2HV
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IXTA3N100D2HV 中文资料
数据手册PDF
IXTA3N100D2HV 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 37.5 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 67 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 38.612639 | 38.61 |
10 | 34.644117 | 346.44 |
100 | 28.38744 | 2838.74 |
500 | 24.165505 | 12082.75 |
1000 | 20.380537 | 20380.54 |
品牌其他型号
IXTA3N100D2HV品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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