制造商型号： | FDC637BNZ |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ON(安森美) FDC637BNZ
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FDC637BNZ 中文资料
数据手册PDF
FDC637BNZ 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.989111 | 2967.33 |
| 6000 | 0.904747 | 5428.48 |
| 9000 | 0.861657 | 7754.91 |
| 15000 | 0.813252 | 12198.78 |
| 21000 | 0.78461 | 16476.81 |
品牌其他型号
FDC637BNZ品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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