制造商型号： | SIHD180N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET E SERIES 600V DPAK (TO-25 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHD180N60E-GE3
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SIHD180N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHD180N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 195 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 6.5 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.520839 | 19.52 |
| 10 | 17.547304 | 175.47 |
| 25 | 16.586278 | 414.66 |
| 100 | 13.269881 | 1326.99 |
| 250 | 12.532808 | 3133.20 |
品牌其他型号
SIHD180N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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