制造商型号: | IPD60R360P7SAUMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD60R360P7SAUMA1
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IPD60R360P7SAUMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD60R360P7SAUMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R360P7S SP001658166
单位重量 330 mg
IPD60R360P7SAUMA1 同类别型号
库存: 2426
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 14.209424 | 14.21 |
10 | 12.701989 | 127.02 |
100 | 9.907058 | 990.71 |
500 | 8.183887 | 4091.94 |
1000 | 7.178849 | 7178.85 |
品牌其他型号
IPD60R360P7SAUMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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