制造商型号: | STU9HN65M2 |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ST(意法半导体) STU9HN65M2
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STU9HN65M2 中文资料
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STU9HN65M2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STU9HN65M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
820mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
325pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.946545 | 7.95 |
10 | 7.110788 | 71.11 |
100 | 5.54203 | 554.20 |
500 | 4.578307 | 2289.15 |
1000 | 3.614445 | 3614.44 |
品牌其他型号
STU9HN65M2品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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