STU9HN65M2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 60 W
上升时间 4.6 ns
输入电容Ciss 325pF @100VVds
下降时间 14.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 16.1 mm
宽度 6.6 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STU9HN65M2引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STU9HN65M2 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A 3Pin3+Tab IPAK Tube | 搜索库存 |