制造商型号： | SSM3J358R,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM3J358R,LF
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SSM3J358R,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM3J358R,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 38.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 12.3 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 393 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
库存： 22390
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.037372 | 7.04 |
| 10 | 4.268319 | 42.68 |
| 100 | 2.70633 | 270.63 |
| 500 | 2.026765 | 1013.38 |
| 1000 | 1.806769 | 1806.77 |
品牌其他型号
SSM3J358R,LF品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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