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ROHM(罗姆) RQ3G150GNTB

ROHM(罗姆) RQ3G150GNTB
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

RQ3G150GNTB

制造商:

ROHM (罗姆)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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RQ3G150GNTB 中文资料

数据手册PDF

RQ3G150GNTB 规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 30 A

漏源电阻 5.1 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 24.1 nC

耗散功率 20 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

正向跨导(Min) 16 S

上升时间 6.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 62.1 ns

典型接通延迟时间 16.8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3G150GN

单位重量 390.800 mg

库存: 1647

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥15.159272 总价:¥15.16
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 15.159272 15.16
10 13.501668 135.02
25 12.818794 320.47
100 9.615512 961.55
250 9.52399 2381.00
500 8.150588 4075.29
1000 6.639477 6639.48
品牌其他型号
RQ3G150GNTB品牌厂家:ROHM ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购RQ3G150GNTB、查询RQ3G150GNTB代理商; RQ3G150GNTB价格批发咨询客服;这里拥有 RQ3G150GNTB中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 RQ3G150GNTB替代型号RQ3G150GNTB数据手册PDF