制造商型号: | FCI7N60 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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ON(安森美) FCI7N60
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FCI7N60 中文资料
数据手册PDF
FCI7N60 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.303187 | 17.30 |
10 | 15.5588 | 155.59 |
100 | 12.508235 | 1250.82 |
500 | 10.276968 | 5138.48 |
1000 | 8.515137 | 8515.14 |
品牌其他型号
FCI7N60品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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