FCI7N60
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCI7N60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.53 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 920pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FCI7N60引脚图与封装图
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在线购买FCI7N60
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCI7N60 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCI7N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号FCI7N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FCI7N60 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-262 N-Channel 600V 7A 600mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCI7N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： FCU7N60TU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 7A 530mΩ 920pF | 类似代替 | N沟道 600V 7A | FCI7N60和FCU7N60TU的区别 |
| 型号： FCU7N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | FCI7N60和FCU7N60的区别 |