制造商型号： | SIHH11N60EF-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHH11N60EF-T1-GE3
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SIHH11N60EF-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHH11N60EF-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 357 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SIHH11N60EF-T1-GE3 同类别型号
库存： 1857
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 58.936964 | 58.94 |
| 10 | 52.972433 | 529.72 |
| 100 | 43.400842 | 4340.08 |
| 500 | 36.946677 | 18473.34 |
| 1000 | 33.385526 | 33385.53 |
品牌其他型号
SIHH11N60EF-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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