制造商型号: | SI3438DV-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI3438DV-T1-E3
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SI3438DV-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI3438DV-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 35.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3438DV-E3
单位重量 20 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 3.272065 | 9816.19 |
6000 | 2.974604 | 17847.62 |
15000 | 2.837315 | 42559.72 |
品牌其他型号
SI3438DV-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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