制造商型号： | TK58A06N1,S4X |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 58A TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) TK58A06N1,S4X
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TK58A06N1,S4X 中文资料
数据手册PDF
TK58A06N1,S4X 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 58 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
TK58A06N1,S4X 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.081123 | 9.08 |
| 10 | 8.101506 | 81.02 |
| 25 | 7.688208 | 192.21 |
| 100 | 5.766155 | 576.62 |
| 250 | 5.71124 | 1427.81 |
品牌其他型号
TK58A06N1,S4X品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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