TK58A06N1,S4X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK58A06N1,S4X中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.4 mΩ
耗散功率 35 W
阈值电压 2V ~ 4V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
输入电容Ciss 3400pF @30VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TK58A06N1,S4X引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK58A06N1,S4X | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 60V 105A 3Pin TO-220SIS | 搜索库存 |