制造商型号： | TK17V65W,LQ |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) TK17V65W,LQ
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TK17V65W,LQ 中文资料
数据手册PDF
TK17V65W,LQ 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 210 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
TK17V65W,LQ 同类别型号
库存： 5000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.697391 | 36.70 |
| 10 | 32.941159 | 329.41 |
| 25 | 31.13718 | 778.43 |
| 100 | 24.909744 | 2490.97 |
| 250 | 23.525869 | 5881.47 |
| 500 | 22.141994 | 11071.00 |
| 1000 | 18.959083 | 18959.08 |
品牌其他型号
TK17V65W,LQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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