制造商型号: | IXTP76N25TM |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-2 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | mouser digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP76N25TM
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IXTP76N25TM 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 Trench
技术类参数
栅极电压 20 V
配置 Single
下降时间 29 ns
漏极电流 76 A
耗散功率 460 W
漏源电阻 44 mOhms
上升时间 25 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 22 ns
漏源击穿电压 250 V
栅源极阈值电压 3 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 Trench
安装风格 Through Hole
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 300 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥45.329322 总价:¥13598.80 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
300 | 45.329322 | 13598.80 |
500 | 42.634922 | 21317.46 |
品牌其他型号
IXTP76N25TM品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购IXTP76N25TM、查询IXTP76N25TM代理商; IXTP76N25TM价格批发咨询客服;这里拥有
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