制造商型号: | EPC8002 |
制造商: | EPS |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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EPS EPC8002
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EPC8002 中文资料
数据手册PDF
EPC8002 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC8002
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
65V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
530mOhm @ 500mA, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
21pF @ 32.5V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
库存: 53172
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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EPC8002品牌厂家:EPS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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