制造商型号： | FQI4N80TU |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FQI4N80TU
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FQI4N80TU 中文资料
数据手册PDF
FQI4N80TU 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导（Min） 3.8 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.55055 | 19.55 |
| 200 | 7.562628 | 1512.53 |
| 500 | 7.298431 | 3649.22 |
| 1000 | 7.166333 | 7166.33 |
品牌其他型号
FQI4N80TU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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