制造商型号: | SIB457EDK-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIB457EDK-T1-GE3
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SIB457EDK-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIB457EDK-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.9 us
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 0.9 us
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 3 us
典型接通延迟时间 0.34 us
外形参数
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIB457EDK-GE3
单位重量 96 mg
SIB457EDK-T1-GE3 同类别型号
库存: 15126
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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品牌其他型号
SIB457EDK-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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