SIB457EDK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.4 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -9.00 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SC-75-6
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SC-75-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIB457EDK-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIB457EDK-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |